Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт

Написать отзыв
IXFN32N120P
15 76144 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
13 921.65 ₽
12 509.68 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN32N120P, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; винтами; 1000Вт" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXFN32N120P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
300нс
Заряд затвора
360нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
IXFN32N120P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1кВт
Сопротивление в открытом состоянии
0,31Ом
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
32А
Ток стока в импульсном режиме
100А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены