Вид канала
обогащенный
Время готовности
130нс
Заряд затвора
525нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IXFN360N10T
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
830Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,6мОм
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
360А
Ток стока в импульсном режиме
900А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены