IXFN360N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; винтами; 830Вт

IXFN360N10T
5 39489 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
5 018.94 ₽
4 519.89 ₽
4 269.89 ₽
4 166.67 ₽
Доступность: 258 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "IXFN360N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Артикул производителя
IXFN360N10T IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
130нс
Заряд затвора
525нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IXFN360N10T
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
830Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,6мОм
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
360А
Ток стока в импульсном режиме
900А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены