Вид канала
обогащенный
Время готовности
150нс
Заряд затвора
715нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
150В
Обозначение производителя
IXFN360N15T2
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,07кВт
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
310А
Ток стока в импульсном режиме
900А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены