Вид канала
обогащенный
Время готовности
434нс
Заряд затвора
300нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
1,1кВ
Обозначение производителя
IXFN40N110Q3
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
960Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,26Ом
Технология
HiPerFET™, Q3-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
35А
Ток стока в импульсном режиме
100А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены