Вид канала
обогащенный
Время готовности
140нс
Заряд затвора
670нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IXFN420N10T
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,07кВт
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
420А
Ток стока в импульсном режиме
1кА
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены