IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC

IXFN420N10T

Срок поставки 4-6 недель

5 631.18 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
Цена
4 971.89 ₽
4 672.06 ₽
Доступность: 120 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXFN420N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 420А; SOT227B; винтами; 670нC" 1.

Артикул производителя
IXFN420N10T IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
140нс
Заряд затвора
670нC
Код производителя
IXFN420N10T
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,07кВт
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
420А
Ток стока в импульсном режиме
1кА
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixfn420n10t.pdf, 170 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России