Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC

Написать отзыв
IXFN50N120SIC
17 56162 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
15 529.93 ₽
13 476.23 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "IXFN50N120SIC, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; винтами; 100нC" 3.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXFN50N120SIC IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
26нс
Заряд затвора
0,1мкC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
-10...25В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
IXFN50N120SIC
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Технология
HiPerFET™, SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
30А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены