Вид канала
обогащенный
Время готовности
54нс
Заряд затвора
115нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
IXFN50N120SK
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Технология
SiC
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
48А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены