Вид канала
обогащенный
Время готовности
150нс
Заряд затвора
545нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
75В
Обозначение производителя
IXFN520N075T2
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
940Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,9мОм
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
480А
Ток стока в импульсном режиме
1,5кА
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены