Вид канала
обогащенный
Время готовности
260нс
Заряд затвора
245нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
1кВ
Обозначение производителя
IXFN52N100X
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
830Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Технология
HiPerFET™, X-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
44А
Ток стока в импульсном режиме
100А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены