IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт

IXFN60N80P
7 200.31 
Оптовые цены:
Кол-во
2+
3+
5+
Цена
6 914.37 ₽
6 667.43 ₽
6 509.17 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Артикул производителя
IXFN60N80P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
250нс
Заряд затвора
250нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
IXFN60N80P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
53А
Ток стока в импульсном режиме
150А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixfn60n80p.pdf, 217 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены