Вид канала
обогащенный
Время готовности
250нс
Заряд затвора
250нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
IXFN60N80P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
53А
Ток стока в импульсном режиме
150А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены