IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт

IXFN60N80P

Срок поставки 4-6 недель

7 915.67 
Оптовые цены:
Кол-во
2+
3+
5+
Цена
7 586.03 ₽
7 311.75 ₽
7 105.62 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXFN60N80P, Модуль; одиночный транзистор; 800В; 53А; SOT227B; винтами; 1040Вт" 1.

Артикул производителя
IXFN60N80P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
250нс
Заряд затвора
250нC
Код производителя
IXFN60N80P
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
53А
Ток стока в импульсном режиме
150А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixfn60n80p.pdf, 217 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России