Вид канала
обогащенный
Время готовности
300нс
Заряд затвора
0,27мкC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
800В
Обозначение производителя
IXFN62N80Q3
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
960Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом
Технология
HiPerFET™, Q3-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
49А
Ток стока в импульсном режиме
180А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены