Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
150нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
IXFN64N50P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
625Вт
Сопротивление в открытом состоянии
85мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
50А
Ток стока в импульсном режиме
150А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены