IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт

IXFN64N50P

Срок поставки 4-6 недель

5 415.67 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
30+
Цена
4 570.70 ₽
4 375.64 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXFN64N50P, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 50А; SOT227B; винтами; 625Вт" 1.

Артикул производителя
IXFN64N50P IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
150нC
Код производителя
IXFN64N50P
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
500В
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
625Вт
Сопротивление в открытом состоянии
85мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
50А
Ток стока в импульсном режиме
150А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixfn64n50p.pdf, 157 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России