Вид канала
обогащенный
Время готовности
250нс
Заряд затвора
380нC
Код производителя
IXFN80N50
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
500В
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
694Вт
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм
Технология
HiPerFET™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
80А
Ток стока в импульсном режиме
320А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены