Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
195нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
500В
Обозначение производителя
IXFN80N50P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
700Вт
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Технология
HiPerFET™, PolarHV™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
66А
Ток стока в импульсном режиме
200А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены