Вид канала
обогащенный
Время готовности
250нс
Заряд затвора
0,19мкC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
IXFN80N60P3
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
960Вт
Сопротивление в открытом состоянии
77мОм
Технология
HiPerFET™, Polar3™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
66А
Ток стока в импульсном режиме
200А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены