Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
240нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
IXFN82N60P
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Технология
HiPerFET™, Polar™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
72А
Ток стока в импульсном режиме
200А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены