Вид канала
обогащенный
Время готовности
300нс
Заряд затвора
275нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
600В
Обозначение производителя
IXFN82N60Q3
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
960Вт
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Технология
HiPerFET™, Q3-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
66А
Ток стока в импульсном режиме
240А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены