Вид канала
обогащенный
Время готовности
250нс
Заряд затвора
340нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±40В
Напряжение сток-исток
850В
Обозначение производителя
IXFN90N85X
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,2кВт
Сопротивление в открытом состоянии
41мОм
Технология
HiPerFET™, X-Class
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
90А
Ток стока в импульсном режиме
180А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены