Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Обозначение производителя
IXG70IF1200NA
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Технология
X2PT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
86А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены