IXG70IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 86А; SOT227B

IXG70IF1200NA

Срок поставки 4-6 недель

5 721.67 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
5 130.00 ₽
4 535.83 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXG70IF1200NA, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 86А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
IXG70IF1200NA IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
IXG70IF1200NA
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Технология
X2PT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
86А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России