Код производителя
IXG70IF1200NA
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Технология
X2PT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
86А
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены