IXGN200N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B

IXGN200N170

Срок поставки 4-6 недель

12 066.67 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
Цена
11 284.17 ₽
10 888.33 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXGN200N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
IXGN200N170 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
IXGN200N170
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,25кВт
Технология
NPT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
160А
Ток коллектора в импульсе
1,05кА
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixgn200n170.pdf, 202 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России