IXGN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B

IXGN200N60B3
12 97822 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
11 456.44 ₽
10 288.83 ₽
Доступность: 299 шт.

Срок поставки 6 недель

+

Минимальное количество для товара "IXGN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
IXGN200N60B3 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXGN200N60B3
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
830Вт
Технология
GenX3™, PT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
1,2кА
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены