Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXGN200N60B3
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
830Вт
Технология
GenX3™, PT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
1,2кА
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены