Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXGN50N120C3H1
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
460Вт
Технология
GenX3™, PT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
240А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены