IXGN50N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B

IXGN50N120C3H1
8 81155 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
7 936.55 ₽
7 019.89 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "IXGN50N120C3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
IXGN50N120C3H1 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXGN50N120C3H1
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
460Вт
Технология
GenX3™, PT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
240А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены