IXGT16N170AH1, Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 11А; 190Вт; TO268

IXGT16N170AH1

Срок поставки 4-6 недель

4 847.99 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
Цена
4 326.21 ₽
3 803.62 ₽
3 449.47 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXGT16N170AH1, Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 11А; 190Вт; TO268" 1.

Артикул производителя
IXGT16N170AH1 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
35нс
Время выключения
298нс
Заряд затвора
70нC
Код производителя
IXGT16N170AH1
Корпус
TO268
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
190Вт
Технология
NPT
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
11А
Ток коллектора в импульсе
40А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный

Отзывы не найдены

Описание (ixgh_t_16n170a_h1.pdf, 217 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России