IXGT6N170, Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 3А; 75Вт; TO268

IXGT6N170

Срок поставки 4-6 недель

3 156.12 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
30+
60+
120+
Цена
2 654.07 ₽
2 404.27 ₽
2 026.29 ₽
1 876.75 ₽
1 820.05 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXGT6N170, Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 3А; 75Вт; TO268" 1.

Артикул производителя
IXGT6N170 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
85нс
Время выключения
0,6мкс
Заряд затвора
20нC
Код производителя
IXGT6N170
Корпус
TO268
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
75Вт
Технология
NPT
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
Ток коллектора в импульсе
24А
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный

Отзывы не найдены

Описание (ixg_6n170.pdf, 180 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России