Вид канала
обогащенный
Время готовности
245нс
Заряд затвора
540нC
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
IXTN200N10L2
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
830Вт
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Технология
Linear L2™
Тип модуля
полевой МОП-транзистор
Ток стока
178А
Ток стока в импульсном режиме
500А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены