Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXXN110N65B4H1
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
750Вт
Технология
GenX4™, XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
110А
Ток коллектора в импульсе
650А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены