Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

IXXN110N65C4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

Написать отзыв
IXXN110N65C4H1
6 85322 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
6 164.77 ₽
5 436.55 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXXN110N65C4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXXN110N65C4H1 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXXN110N65C4H1
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
750Вт
Технология
GenX3™, XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
110А
Ток коллектора в импульсе
470А
Электрический монтаж
винтами
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены