Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

IXXN200N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B

Написать отзыв
IXXN200N60B3H1
9 08239 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
8 185.61 ₽
7 229.17 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXXN200N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXXN200N60B3H1 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXXN200N60B3H1
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
780Вт
Технология
GenX3™, XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
98А
Ток коллектора в импульсе
1кА
Электрический монтаж
винтами
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены