Москва
 
+7 (499) 550-50-61
 

IXXN200N65A4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B

Написать отзыв
IXXN200N65A4
5 47917 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
4 915.72 ₽
4 353.22 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXXN200N65A4, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
IXXN200N65A4 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXXN200N65A4
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,25кВт
Технология
GenX4™, XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
1,2кА
Электрический монтаж
винтами
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены