Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXYN100N65B3D1
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
600Вт
Технология
GenX3™, XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
100А
Ток коллектора в импульсе
490А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены