IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B

IXYN100N65B3D1
6 162.79 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
5 552.14 ₽
4 903.23 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "IXYN100N65B3D1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 100А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
IXYN100N65B3D1 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXYN100N65B3D1
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
600Вт
Технология
GenX3™, XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
100А
Ток коллектора в импульсе
490А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixyn100n65b3d1.pdf, 232 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России