Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXYN100N65C3H1
Обратное напряжение макс.
650В
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
600Вт
Технология
GenX3™, XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
90А
Ток коллектора в импульсе
420А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены