Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXYN120N120C3
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1,2кВт
Технология
GenX3™, XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
120А
Ток коллектора в импульсе
700А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены