Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXYN50N170CV1
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
880Вт
Технология
XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
485А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены