IXYN82N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 46А; SOT227B

IXYN82N120C3

Срок поставки 4-6 недель

9 300.17 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
8 373.13 ₽
7 402.99 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "IXYN82N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 46А; SOT227B" 1.

Артикул производителя
IXYN82N120C3 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Код производителя
IXYN82N120C3
Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
600Вт
Технология
GenX3™, XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
46А
Ток коллектора в импульсе
380А
Электрический монтаж
винтами

Отзывы не найдены

Описание (ixyn82n120c3.pdf, 205 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России