Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
SOT227B
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
IXYN82N120C3H1
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
500Вт
Технология
GenX3™, XPT™
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
66А
Ток коллектора в импульсе
320А
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены