Вид микросхемы
high-/low-side, контроллер затвора MOSFET
Вид упаковки
бобина, лента
Время нарастания импульса
115нс
Время падения импульса
115нс
Входное напряжение
0...18,3В
Выходное напряжение
250...800мВ
Корпус
SO8
Монтаж
SMD
Обозначение производителя
LM2105DR
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Рабочая температура
-40...125°C
Тип микросхемы
driver
Топология
buck, полумост MOSFET
Отзывы не найдены