Вид упаковки
бобина, лента
Входное напряжение смещения
8мВ
Диапазон напряжения питания
± 900мВ DC...6В DC/1,8...12В DC
Кол-во каналов
2
Корпус
SO8
Монтаж
SMT
Обозначение производителя
MC33202DR2G
Полоса передаваемых частот
2,2МГц
Производитель
ONSEMI
Рабочая температура
-40...105 °C
Скорость нарастания напряжения
1В/мкс
Тип микросхемы
операционный усилитель
Характеристики интегральных схем
rail-to-rail
Отзывы не найдены