Вид микросхемы
high-side, источник тока
Вид упаковки
бобина, лента
Входное напряжение смещения
12мкВ
Корпус
VDFN8
Коэффициент усиления
100В/В
Монтаж
SMT
Обозначение производителя
MCP6C02T-100H/Q8B
Полоса передаваемых частот
390кГц
Производитель
MICROCHIP TECHNOLOGY
Рабочая температура
-40...150°C
Рабочее напряжение
2...5,5В
Тип микросхемы
измерительный усилитель
Характеристики интегральных схем
zero-drift
Отзывы не найдены