MIEB101H1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 128А

MIEB101H1200EH
32 91813 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
5+
Цена
29 044.89 ₽
26 140.85 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "MIEB101H1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 128А" 1.

Артикул производителя
MIEB101H1200EH IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
E3-Pack
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
MIEB101H1200EH
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
двигатели, фотоэлектрика
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
630Вт
Технология
Sonic FRD™, SPT+
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
128А
Ток коллектора в импульсе
200А
Топология
Н мост
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены