MKI100-12F8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А; 640Вт

MKI100-12F8
47 07481 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
5+
Цена
42 493.37 ₽
37 493.37 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "MKI100-12F8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А; 640Вт" 1.

Артикул производителя
MKI100-12F8 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Конструкция диода
диод/транзистор
Корпус
E3-Pack
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
MKI100-12F8
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
640Вт
Технология
HiPerFRED™, NPT
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
125А
Ток коллектора в импульсе
200А
Топология
Н мост
Электрический монтаж
Press-in PCB

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены