Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
367нC
Корпус
SMPD
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
300В
Обозначение производителя
MMIX1F160N30T
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
570Вт
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, Trench™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
102А
Ток стока в импульсном режиме
440А
Отзывы не найдены