MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD

MMIX1F160N30T
6 731.78 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
Цена
5 955.04 ₽
5 347.29 ₽
Доступность: 20 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "MMIX1F160N30T, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD" 1.

Артикул производителя
MMIX1F160N30T IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
200нс
Заряд затвора
367нC
Корпус
SMPD
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
300В
Обозначение производителя
MMIX1F160N30T
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
570Вт
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, Trench™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
102А
Ток стока в импульсном режиме
440А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены