Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

MMIX1G320N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD

Написать отзыв
MMIX1G320N60B3
10 97887 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
20+
Цена
9 701.58 ₽
8 713.91 ₽
8 132.04 ₽
Доступность: Предзаказ
+ −

Минимальное количество для товара "MMIX1G320N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD" 1.

Отложить Сравнить
Артикул производителя
MMIX1G320N60B3 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
107нс
Время выключения
595нс
Заряд затвора
585нC
Корпус
SMPD
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Обозначение производителя
MMIX1G320N60B3
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
1кВт
Технология
BiMOSFET™, GenX3™, PT
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
180А
Ток коллектора в импульсе
1кА

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены