MMIX1T600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт

MMIX1T600N04T2
6 400.00 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
20+
Цена
5 661.66 ₽
5 084.58 ₽
4 741.50 ₽
Доступность: 20 шт.

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "MMIX1T600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт" 1.

Артикул производителя
MMIX1T600N04T2 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Время готовности
100нс
Заряд затвора
590нC
Корпус
SMPD
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
MMIX1T600N04T2
Полярность
полевой
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
830Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,3мОм
Технология
GigaMOS™, TrenchT2™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
600А
Ток стока в импульсном режиме
2кА

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены