MMIX1X200N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD

MMIX1X200N60B3
8 268 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
20+
Цена
7 299 ₽
6 564 ₽
6 119 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 120А; 625Вт; SMPD" 1.

Артикул производителя
MMIX1X200N60B3 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
140нс
Время выключения
395нс
Заряд затвора
315нC
Корпус
SMPD
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Обозначение производителя
MMIX1X200N60B3
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
625Вт
Технология
BiMOSFET™, GenX3™, XPT™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
120А
Ток коллектора в импульсе
1кА

Отзывы не найдены

Описание (mmix1x200n60b3.pdf, 234 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены