MMIX1X200N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD

MMIX1X200N60B3H1
8 528.06 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
20+
Цена
7 536.76 ₽
6 762.06 ₽
6 309.88 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "MMIX1X200N60B3H1, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD" 1.

Артикул производителя
MMIX1X200N60B3H1 IXYS
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид упаковки
туба
Время включения
140нс
Время выключения
395нс
Заряд затвора
315нC
Корпус
SMPD
Монтаж
SMD
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Обозначение производителя
MMIX1X200N60B3H1
Производитель
IXYS
Рассеиваемая мощность
520Вт
Технология
BiMOSFET™, GenX3™, XPT™
Тип транзистора
IGBT
Ток коллектора
72А
Ток коллектора в импульсе
1кА

Отзывы не найдены

Описание (mmix1x200n60b3h1.pdf, 244 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены